Name: ISC080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

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ISC080N10NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISC080N10NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISC080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISC080N10NM6ATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) PG-TDSON-8 FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISC080N10NM6ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.3V a 36µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8 FL
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13A (Ta), 75A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Número de producto base ISC080N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.05mOhm a 20A, 10V