Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.5289 EUR
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRLR3636TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 100µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3779 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 143W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA (DPAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IRLR3636
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.8mOhm a 50A, 10V