Name: IRLHS6242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6242TRPBFTR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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IRLHS6242TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRLHS6242TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRLHS6242TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRLHS6242TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRLHS6242TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLHS6242TRPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.7mOhm a 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1110 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerVDFN
Número de producto base	IRLHS6242