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MOSFET - Arreglos 30V 8.1A 2W Montaje en superficie 8-SO
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IRL6372PBF

N.º de producto de DigiKey
IRL6372PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRL6372PBF
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 30V 8.1A 2W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en DigiKey
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Dos canal N (doble)
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8.1A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
17.9mOhm a 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1020pF a 25V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRL6372
Preguntas y respuestas sobre el producto

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