Name: IRL2910STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL2910STRLPBFTR-ND
Price: 4.0051 EUR
Availability: InStock

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IRL2910STRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL2910STRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRL2910STRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRL2910STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL2910STRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3700 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 55A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V	Número de producto base IRL2910
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 29A, 10V