IRL2203NSPBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRL2203NSPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL2203NSPBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL2203NSPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	116A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3290 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

IRL2203NSPBF