IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRFTS9342TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFTS9342TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFTS9342TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFTS9342TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFTS9342TRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 5.8A (Ta) 2W (Ta) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFTS9342TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	595 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6
Número de producto base	IRFTS9342

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	0,54000 €	0,54 €
10	0,33800 €	3,38 €

Precio unitario sin IVA:	0,54000 €
Precio unitario con IVA:	0,65340 €

IRFTS9342TRPBF