Name: IRFR3710ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3710ZTRPBFTR-ND
Price: 2.5168 EUR
Availability: InStock

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IRFR3710ZTRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFR3710ZTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFR3710ZTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFR3710ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFR3710ZTRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFR3710ZTRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2930 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 140W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA (DPAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 42A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFR3710
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 33A, 10V