Name: IRFR3411TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3411TRPBFTR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

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IRFR3411TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFR3411TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFR3411TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFR3411TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFR3411TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 32H (Tc) 130W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFR3411TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 130W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA (DPAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFR3411
Rds On (máx) @ Id, Vgs 44mOhm a 16A, 10V