IRFL4105TRPBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRFL4105TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFL4105TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFL4105TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFL4105TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFL4105TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFL4105TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45mOhm a 3.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	660 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	IRFL4105

Precio unitario sin IVA:	0,93000 €
Precio unitario con IVA:	1,12530 €

IRFL4105TRPBF