IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRFHS9301TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFHS9301TRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFHS9301TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	37mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	580 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerVDFN
Número de producto base	IRFHS9301

IRFHS9301TRPBF