Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 1.0769 EUR
Availability: InStock

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IRFHM3911TRPBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFHM3911TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) 8-PQFN (3x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFHM3911TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.2A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	115mOhm a 6.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IRFHM3911

Precio unitario sin IVA:	0,89000 €
Precio unitario con IVA:	1,07690 €

IRFHM3911TRPBF