Name: IRFH8318TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8318TRPBFTR-ND
Price: 1.6335 EUR
Availability: InStock

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IRFH8318TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH8318TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFH8318TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFH8318TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH8318TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 27H (Ta), 120H (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFH8318TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.35V a 50µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3180 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PQFN (5x6)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 27H (Ta), 120H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IRFH8318
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm a 20A, 10V