Name: IRFH8318TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8318TRPBFTR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

IRFH8318TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH8318TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFH8318TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFH8318TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH8318TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFH8318TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3180 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IRFH8318

Precio unitario sin IVA:	1,08000 €
Precio unitario con IVA:	1,30680 €

IRFH8318TRPBF