Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 2.2748 EUR
Availability: InStock

IRFH5015TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH5015TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFH5015TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	31mOhm a 34A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2300 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IRFH5015

Precio unitario sin IVA:	1,88000 €
Precio unitario con IVA:	2,27480 €

IRFH5015TRPBF