Name: IRFB4310ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4310ZPBF-ND
Price: 3.9083 EUR
Availability: InStock

IRFB4310ZPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFB4310ZPBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFB4310ZPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB4310ZPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6860 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRFB4310

Precio unitario sin IVA:	3,23000 €
Precio unitario con IVA:	3,90830 €

IRFB4310ZPBF