Name: IRFB4127PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4127PBF-ND
Price: 4.1866 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB

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IRFB4127PBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRFB4127PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFB4127PBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB4127PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5380 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 76A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFB4127
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20mOhm a 44A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	3,46000 €	3,46 €
10	2,26900 €	22,69 €
100	1,59050 €	159,05 €
500	1,30062 €	650,31 €
1.000	1,20750 €	1.207,50 €
2.000	1,12924 €	2.258,48 €
5.000	1,07704 €	5.385,20 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.