Name: IRFB3307PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB3307PBF-ND
Price: 3.9567 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 75 V 130H (Tc) 200W (Tc) TO-220AB

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IRFB3307PBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRFB3307PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFB3307PBF
Descripción	MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 75 V 130H (Tc) 200W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB3307PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 150µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5150 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 200W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 130H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFB3307
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.3mOhm a 75A, 10V

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	3,27000 €	3,27 €
10	2,12200 €	21,22 €
100	1,46760 €	146,76 €
500	1,18810 €	594,05 €
1.000	1,09829 €	1.098,29 €
2.000	1,02279 €	2.045,58 €
5.000	0,94114 €	4.705,70 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.