IRF7902PBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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Precio por unidad : 0,84000 €

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IRF7902PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7902PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7902PBF
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 6.4 A, 9.7 A 1.4W, 2W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.4 A, 9.7 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22.6mOhm a 6.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.25V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.9nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	580pF a 15V
Potencia - Máx.	1.4W, 2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	IRF7902