Name: IRF7853TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7853TRPBFTR-ND
Price: 1.9481 EUR
Availability: InStock

IRF7853TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7853TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF7853TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF7853TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7853TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 8.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.9V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1640 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	IRF7853

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
4.000	0,42944 €	1.717,76 €
8.000	0,41320 €	3.305,60 €

Precio unitario sin IVA:	1,61000 €
Precio unitario con IVA:	1,94810 €

IRF7853TRPBF