Name: IRF7832TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7832PBFTR-ND
Price: 1.8271 EUR
Availability: InStock

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IRF7832TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7832PBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF7832PBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF7832PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7832TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF7832TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.32V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4310 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base IRF7832
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4mOhm a 20A, 10V