Name: IRF7779L2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TRPBFTR-ND
Price: 6.5098 EUR
Availability: InStock

IRF7779L2TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7779L2TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF7779L2TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF7779L2TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7779L2TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 67A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) L8 isométrico DirectFET™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF7779L2TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	67A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6660 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	L8 isométrico DirectFET™
Paquete / Caja (carcasa)	L8 isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF7779

Precio unitario sin IVA:	5,38000 €
Precio unitario con IVA:	6,50980 €

IRF7779L2TRPBF