Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.4036 EUR
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7341TRPBFXTMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) Montaje en superficie PG-DSO-8-902
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 4.7A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie HEXFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740pF a 25V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 2W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8-902
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.7A (Tc)