Name: IRF7313TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.2342 EUR
Availability: OutOfStock

IRF7313TRPBFXTMA1 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

UMW

En stock: 2.941

Precio por unidad : 0,90000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IRF7313TRPBFXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF7313TRPBFXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF7313TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7313TRPBFXTMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 6.5 A (Ta) 2W (Ta) Montaje en superficie PG-DSO-8-902
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.5 A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	29mOhm a 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	650pF a 25V
Potencia - Máx.	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8-902