Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 2.6741 EUR
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF6775MTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6775MTRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFET™ MZ
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF6775MTRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.9A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 5.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1411 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja (carcasa)	MZ isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF6775

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
4.800	0,60970 €	2.926,56 €
9.600	0,58431 €	5.609,38 €

Precio unitario sin IVA:	2,21000 €
Precio unitario con IVA:	2,67410 €

IRF6775MTRPBF