Name: IRF630NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF630NPBF-ND
Price: 1.8513 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) TO-220AB

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IRF630NPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF630NPBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF630NPBF
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF630NPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 575 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 82W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.3A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF630
Rds On (máx) @ Id, Vgs 300mOhm a 5.4A, 10V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	1,53000 €	1,53 €
50	0,72880 €	36,44 €
100	0,65040 €	65,04 €
500	0,51264 €	256,32 €
1.000	0,46831 €	468,31 €
2.000	0,43101 €	862,02 €
5.000	0,39066 €	1.953,30 €
10.000	0,36574 €	3.657,40 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.