IRF60B217 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRF60B217 es obsoleto y ya no se fabrica.

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STMicroelectronics

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Precio por unidad : 2,72000 €

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IRF60B217
N.º de producto de DigiKey	IRF60B217-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF60B217
Descripción	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 60H (Tc) 83W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF60B217 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.7V a 50µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2230 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IRF60B217
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9mOhm a 36A, 10V