Name: IRF3710PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3710PBF-ND
Price: 2.6378 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB

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IRF3710PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF3710PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF3710PBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF3710PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3130 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 200W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 57A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF3710
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23mOhm a 28A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,18000 €	2,18 €
10	1,39600 €	13,96 €
100	0,95240 €	95,24 €
500	0,76246 €	381,23 €
1.000	0,70141 €	701,41 €
2.000	0,65006 €	1.300,12 €
5.000	0,59453 €	2.972,65 €
10.000	0,57018 €	5.701,80 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.