IRF2204PBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 40 V 210H (Tc) 330W (Tc) TO-220AB

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IRF2204PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF2204PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF2204PBF
Descripción	MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 210H (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF2204PBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5890 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 330W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 210H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRF2204
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.6mOhm a 130A, 10V

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Sustitutos (7)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPP041N04NGXKSA1	Infineon Technologies	496	448-IPP041N04NGXKSA1-ND	1,76000 €	Similar
IRF2804PBF	Infineon Technologies	3.237	IRF2804PBF-ND	3,43000 €	Similar
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N0412N-S19-AY	Renesas Electronics Corporation	2.798	N0412N-S19-AY-ND	2,67000 €	Similar
STP120N4F6	STMicroelectronics	0	497-10962-5-ND	2,22000 €	Similar

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1	3,38000 €	3,38 €
50	1,68840 €	84,42 €
100	1,52390 €	152,39 €

Paquete estándar del fabricante

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