IRF1404SPBF Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IRF1404SPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF1404SPBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF1404SPBF
Descripción	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF1404SPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	162A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 95A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7360 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

IRF1404SPBF