IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRF1010ZSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF1010ZSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF1010ZSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF1010ZSTRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2840 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF1010

Precio unitario sin IVA:	2,43000 €
Precio unitario con IVA:	2,94030 €

IRF1010ZSTRLPBF