Name: IQE036N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE036N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 3.4969 EUR
Availability: InStock

IQE036N08NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE036N08NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE036N08NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE036N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE036N08NM6ATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 16.7A (Ta), 118A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) PG-TSON-8-5
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16.7A (Ta), 118A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 49.8µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2600 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	2,89000 €
Precio unitario con IVA:	3,49690 €

IQE036N08NM6ATMA1