Name: IQE030N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.7752 EUR
Availability: InStock

IQE030N06NM5CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE030N06NM5CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE030N06NM5CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE030N06NM5CGATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) PG-TTFN-9-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE030N06NM5CGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	21A (Ta), 137A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3800 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TTFN-9-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IQE030N

Precio unitario sin IVA:	3,12000 €
Precio unitario con IVA:	3,77520 €

IQE030N06NM5CGATMA1