Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.1503 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 25 V 41H (Ta), 298H (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) PG-TTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQE006NE2LM5CGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 41H (Ta), 298H (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) PG-TTFN-9-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5453 pF @ 12 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TTFN-9-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 41H (Ta), 298H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.65mOhm a 20A, 10V	Número de producto base IQE006