Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.6706 EUR
Availability: InStock

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IQDH29NE2LM5SCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Descripción	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) PG-WHSON-8-U02
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Ta), 789A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.29mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 1.448mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17000 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-WHSON-8-U02
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN