Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.8322 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 25 V 75H (Ta), 789H (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) PG-WHTFN-9-U02

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Descripción	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 75H (Ta), 789H (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) PG-WHTFN-9-U02
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.29mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1.448mA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±16V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17000 pF @ 12 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 75H (Ta), 789H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-WHTFN-9-U02
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerWDFN