Name: IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND
Price: 2.1054 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPZ40N04S5L2R8ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 40H (Tc) 71W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±16V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 71W (Tc)
Estado de pieza No para diseños nuevos	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 20A, 10V	Número de producto base IPZ40N04
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 30µA