Name: IPZ40N04S58R4ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S58R4ATMA1TR-ND
Price: 1.331 EUR
Availability: InStock

IPZ40N04S58R4ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPZ40N04S58R4ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPZ40N04S58R4ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPZ40N04S58R4ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPZ40N04S58R4ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 40A (Tc) 34W (Tc) PG-TSDSON-8-32
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPZ40N04S58R4ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.4mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	771 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-32
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	IPZ40N04

Precio unitario sin IVA:	1,10000 €
Precio unitario con IVA:	1,33100 €

IPZ40N04S58R4ATMA1