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IPW60R045CPFKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPW60R045CPFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPW60R045CPFKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 60A (Tc) 431W (Tc) PG-TO247-3-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPW60R045CPFKSA1 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 3mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6800 pF @ 100 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 431W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 45mOhm a 44A, 10V |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 379 | 497-16127-5-ND | 71,77000 € | Directo |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 875 | FCH040N65S3-F155-ND | 89,90000 € | Similar |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 99,28000 € | Similar |
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3.650 | 238-IXFH80N65X2-ND | 106,39000 € | Similar |
| SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW70N60EF-GE3-ND | 53,10423 € | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 14,27000 € | 14,27 € |
| 30 | 8,77867 € | 263,36 € |
| 120 | 7,57575 € | 909,09 € |
| 510 | 7,03292 € | 3.586,79 € |
| Precio unitario sin IVA: | 14,27000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 17,26670 € |
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