IPTC015N10NM5ATMA1 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

MFR recomendado


Infineon Technologies
En stock: 1.880
Precio por unidad : 4,98000 €
Hoja de datos
Canal N Montaje en superficie 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HDSOP-16-2
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
Canal N Montaje en superficie 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HDSOP-16-2
OptiMOS™ TOLT Power MOSFET Packages | Datasheet Preview

IPTC015N10NM5ATMA1

N.º de producto de DigiKey
448-IPTC015N10NM5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IPTC015N10NM5ATMA1
Descripción
MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) PG-HDSOP-16-2
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPTC015N10NM5ATMA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.8V a 275µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
208 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
16000 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-HDSOP-16-2
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.