IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPS70R600CEAKMA1
N.º de producto de DigiKey	IPS70R600CEAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPS70R600CEAKMA1
Descripción	MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 700 V 10.5A (Tc) 86W (Tc) PG-TO251-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en DigiKey
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 210µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	474 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO251-3-11
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores stub TO-251-3, IPAK
Número de producto base	IPS70R

IPS70R600CEAKMA1