IPP70N10S3L12AKSA1 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

MFR recomendado


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : 2,39658 €
Hoja de datos

Similar


Texas Instruments
En stock: 1.139
Precio por unidad : 1,88000 €
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : 2,99000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 9.902
Precio por unidad : 4,06000 €
Hoja de datos

Similar


STMicroelectronics
En stock: 0
Precio por unidad : 3,47000 €
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) PG-TO220-3-1
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPP70N10S3L12AKSA1

N.º de producto de DigiKey
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IPP70N10S3L12AKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPP70N10S3L12AKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12.1mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.4V a 83µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5550 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.