Name: IPP65R099CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Price: 6.7034 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) PG-TO220-3

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IPP65R099CFD7AAKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP65R099CFD7AAKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP65R099CFD7AAKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™ CFD7A	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2513 pF @ 400 V
Embalaje Tubo	Disipación de potencia (Máx.) 127W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 12.5A, 10V	Número de producto base IPP65R099
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 630µA

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

En stock: 6

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,54000 €	5,54 €
50	2,93140 €	146,57 €
100	2,67940 €	267,94 €
500	2,23816 €	1.119,08 €
1.000	2,09651 €	2.096,51 €
2.000	2,02850 €	4.057,00 €

Paquete estándar del fabricante

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