
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP60R299CPXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 11H (Tc) 96W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP60R299CPXKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 440µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100 pF @ 100 V |
Estado de pieza Última compra | Disipación de potencia (Máx.) 96W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 299mOhm a 6.6A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 2,60000 € | MFR recomendado |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1.903 | 497-13779-5-ND | 3,71000 € | Directo |
| FCP11N60 | onsemi | 1.602 | FCP11N60-ND | 3,58000 € | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.711 | IRF830APBF-ND | 3,38000 € | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,43000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,25000 € | 3,25 € |
| 50 | 1,62080 € | 81,04 € |
| 100 | 1,46330 € | 146,33 € |
| 500 | 1,18734 € | 593,67 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,25000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 3,93250 € |

