
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP60R199CPXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 16H (Tc) 139W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP60R199CPXKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 660µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1520 pF @ 100 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 139W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 199mOhm a 9.9A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1.432 | FCP190N60EOS-ND | 4,32000 € | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.718 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Similar |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 2,58000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,80000 € | 3,80 € |
| 50 | 1,94360 € | 97,18 € |
| 100 | 1,76360 € | 176,36 € |
| 500 | 1,44832 € | 724,16 € |
| 1.000 | 1,34706 € | 1.347,06 € |
| 2.000 | 1,26196 € | 2.523,92 € |
| 5.000 | 1,22226 € | 6.111,30 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,80000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,59800 € |

