Name: IPP60R022S7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R022S7XKSA1-ND
Price: 12.2331 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) PG-TO220-3-1

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IPP60R022S7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP60R022S7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP60R022S7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP60R022S7XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.44mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 12 V
Serie CoolMOS™S7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5639 pF @ 300 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 390W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 23A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 12V	Número de producto base IPP60R022
Rds On (máx) @ Id, Vgs 22mOhm a 23A, 12V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	10,11000 €	10,11 €
50	5,66460 €	283,23 €
100	5,23760 €	523,76 €
500	4,49054 €	2.245,27 €
1.000	4,48842 €	4.488,42 €

Paquete estándar del fabricante

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