Configuración
Entrega rápida
Entrega Gratis
Incoterms
Tipos de pago
Producto del mercado
IPP50R399CPHKSA1 está sin stock y los pedidos pendientes no están actualmente disponibles.
Reemplazos disponibles:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IPP50R399CPHKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPP50R399CPHKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP50R399CPHKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) PG-TO220-3-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Discontinuo en Digi-Key | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 560 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 399mOhm a 4.9A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 330µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 890 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 83W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
España