IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

IPP50R199CPXKSA1
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cms-manufacturer	Infineon Technologies
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cms-description	MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
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cms-detailed-description	Canal N Orificio pasante 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
cms-eda-cad-models	IPP50R199CPXKSA1 Modelos

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cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	550 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	199mOhm a 9.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 660µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP50R199

IPP50R199CPXKSA1