Name: IPP129N10NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP129N10NF2SAKMA1-ND
Price: 1.936 EUR
Availability: InStock

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IPP129N10NF2SAKMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP129N10NF2SAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP129N10NF2SAKMA1
Descripción	TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 12A (Ta), 52A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP129N10NF2SAKMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta), 52A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12.9mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP129N

Precio unitario sin IVA:	1,60000 €
Precio unitario con IVA:	1,93600 €

IPP129N10NF2SAKMA1