
IPP120N08S403AKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP120N08S403AKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 80 V 120H (Tc) 278W (Tc) PG-TO220-3-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP120N08S403AKSA1 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 167 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11550 pF @ 25 V |
Embalaje Tubo | Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc) |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 100A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 223µA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | 1.809 | FDP036N10A-ND | 5,41000 € | Similar |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | 5,29000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 7,14000 € | 7,14 € |
| 50 | 3,81120 € | 190,56 € |
| 100 | 3,48980 € | 348,98 € |
| 500 | 2,92680 € | 1.463,40 € |
| 1.000 | 2,74613 € | 2.746,13 € |
| 2.000 | 2,59431 € | 5.188,62 € |
| Precio unitario sin IVA: | 7,14000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 8,63940 € |



