Name: IPP114N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Price: 3.025 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) PG-TO220-3

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IPP114N12N3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP114N12N3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP114N12N3GXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 83µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4310 pF @ 60 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 136W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 75A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPP114
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.4mOhm a 75A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,50000 €	2,50 €
50	1,23260 €	61,63 €
100	1,10960 €	110,96 €
500	0,89396 €	446,98 €
1.000	0,82465 €	824,65 €
2.000	0,76638 €	1.532,76 €
5.000	0,70336 €	3.516,80 €
10.000	0,69012 €	6.901,20 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.